ST最新1200V IGBT大幅提升应用能效

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意法半导体最新的1200V绝缘栅双极晶体管(IGBT,Insulated-Gate Bipolar Transistors)借助第二代沟栅式场截止型高速技术提升太阳能逆变器、电焊机、不间断电源和功率因数校正(PFC, Power-Factor Correction)转换器等应用的能效和耐用性。

意法半导体的新H系列1200V IGBT将关断损耗和导通损耗降低多达15%。饱和电压(V_ce(sat))减低至2.1V (在标准集极电流和100℃下的典型值)，这能确保总体损耗降至最低，在20kHz开关频率下更高效地工作。

此外， 新款1200V IGBT提供集成高速恢复反并联二极管的选项，以助力开发人员优化硬开关电路的性能，使用续流二极管大幅降低开关电路的能源损耗。

新款IGBT的耐用性极强，当实际电流是标准电流的四倍时无闩锁效应，短路时间极短，仅5μs(在150℃初始结温时)。最大工作结温扩大到175℃，有助于延长产品的使用寿命，简单化系统散热设计。宽安全工作区(SOA，Safe Operating Area)提升大功率应用的工作可靠性。

优异的防电磁干扰（EMI，electromagnetic interference）是新产品的另一大优点，这归功于新系列产品在开关过程中取得近乎理想的波形，令竞争产品望尘莫及。V_ce(sat)的正温度系数，结合器件之间参数分布紧密，使其在大功率应用中实现更安全的并行工作。

意法半导体的H系列IGBT现已量产，采用TO-247封装，有15A、25A和 40A三个型号。