三星“暂别”8千兆位NAND闪存，暗自发力4位/cell技术

据市场调研公司American Technology Research Inc.，三星电子已推迟8千兆位NAND闪存芯片的发货，但该公司正在悄悄地开发一种4位/cell NAND技术。

据American Technology Research Inc.，上述消息是三星在公布第二财季业绩时披露的，显示三星把8Gbit multi-level-cell (MLC) NAND发货期推迟了“一个季度”。

与此同时，三星在扩大其产品组合。American Technology Research的分析师Satya Chillara在一份报告中表示：“三星正在提出自己版本的4位/cell技术，计划在2008年投产。”

三星的技术将与以色列公司M Systems Flash Disk Pioneers Ltd.和Saifun Semiconductors Ltd.，以及其它公司进行竞争。M Systems表示，它预计在2007年初开始大规模生产其最近宣布的x4 NAND闪存元件。

Saifun开发出了一种4位/cell技术，代号为“Quad-NROM”。它已向英飞凌和Spansion等厂商提供这种技术的授权。