除了与台湾存储器业者旺宏(Macronix)继续打官司，美商Spansion现在把矛头转向其他“在未取得共识的情况下滥用其技术”的所有存储器与系统厂商；据了解，Spansion最近已经对多家存储器同业与非存储器终端业者发出该公司将提出专利侵权诉讼的警告信。
Spansion策略联盟暨业务开发资深副总裁Ali Pourkeramati接受《电子工程专辑》美国版编辑专访时强硬地表示：“我们不会忘记或是原谅；”他拒绝透露Spansion发警告信的对象，仅指出：“他们自己知道他们是谁，因为他们已经收到我们寄出的信件。”
日本的瑞萨电子(Renesas Electronics)可能是其中一家，该公司利用其自豪的40纳米嵌入式快闪存储器技术，与台积电(TSMC)合作开发了一款嵌入式快闪存储器(eFlash)微控制器 (MCU)平台，可对其他半导体供应商提供授权。但Spansion的Pourkeramati表示：“如果瑞萨在做eFlash微控制器，他们应该要来找我们。”
这意味瑞萨的技术有可能侵犯Spansion的嵌入式电荷撷取(embedded Charge Trap，eCT)技术；针对这个问题，瑞萨的发言人在笔者截稿前回应，该公司负责相关业务的高层主管正在出差，无法提供意见。总而言之，随着越来越多微控制器供应商想在芯片设计中嵌入更大容量存储器，无论是瑞萨的eFlash或是Spansion的eCT，都将点燃知识产权(IP)保卫战新火苗。
Spansion已经清楚表明，该公司现在对于IP保护采取非常认真的态度，Pourkeramati表示：“我们必须确保任何无授权使用我们的IP的人，必须停止其行为。”他并特别强调，技术授权与强力执行IP保护，对Spansion来说：“不是一种副业(side busines)，也不是一种投机策略(opportunistic strategy)。”
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Pourkeramati过去曾担任Spansion技术长，自2012年5月以来负责公司业务开发，他的任务也包括授权策略；他指出，过去六个月来：“我们已经建立了一个阵容坚强的团队，”以强化Spansion的IP保护。
Spansion已经把快闪存储器以及嵌入式微控制器应用的eCT技术授权专案整合在一起。在存储器产品中使用的闪存技术方面，该公司的浮动闸(floating gate)技术已经授权给中国晶圆代工业者武汉新芯(XMC)；同时其闪存电荷撷取( CT)技术，则有数家授权商包括松下(Panasonic)、尔必达(Elpida，用于NAND闪存)，以及旺宏。
在eCT逻辑元件产品方面，Spansion已经将该技术的40纳米制程授权给台湾晶圆代工业者联电(UMC)。Pourkeramati表示，Spansion的eCT也开放授权给其他芯片业者：“所有对该技术有兴趣的人首先要来找我们洽谈，而且他们的产品必须在联电生产。”
因为收购了富士通半导体(Fujitsu)的微控制器与模拟业务，Spansion现在也是一家微控制器供应商，该公司计划在2015年推出采用eCT技术的嵌入式MCU产品。在被问到其他微控制器竞争对手是否会考虑取得其eCT技术授权时，Pourkeramati的回答是：“我们将会筛选谁可以取得eCT授权。”
Spansion自信地认为eCT技术对嵌入式MCU特别具吸引力，因为该技术针对与逻辑电路的整合进行了调整与最优化，能让存储器单元(memory cell)良好配合先进逻辑设计的制程微缩。
而如果还有人认为Spansion还是一家曾经面临破产的闪存厂商，可能要改变一下印象了；现在Pourkeramati形容他的公司是嵌入式市场的“存储器解决方案供应商”，锁定汽车、工业、医疗、消费性与连网等应用领域。
目前Spansion手上有5,000项专利──包括收购富士通MCU与模拟业务所取得的1,400~1,500项专利──其可授权IP不只有闪存与存储器子系统，还有MCU、SoC、电源管理与模拟技术；该公司最近还增加了电荷撷取3D NAND技术IP。
翻译：Judith Cheng
本文授权翻译自EE TIMES，谢绝转载
