飞兆最新器件集成MOSFET和二极管，极大节省电路板空间

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飞兆半导体公司是高性能功率半导体和移动半导体解决方案的全球领先供应商，通过引入100 V BoostPak设备系列优化MOSFET和二极管选择过程，将MOSFET和二极管集成在一个封装内，代替LED电视/显示器背光、LED照明和DC-DC转换器应用中目前使用的分立式解决方案。

通过将MOSFET和二极管集成到一个独立封装内，FDD1600N10ALZD和FDD850N10LD设备节省了电路板空间，简化了装配，降低了材料清单成本并改进了应用的可靠性。

该元件的N沟道MOSFET采用飞兆半导体PowerTrench工艺生产，这一先进工艺专用于最小化导通电阻，同时保持卓越的开关性能。 NP二极管为超快速整流器，带低正向导通压降，具有出色的开关性能。 与肖特基二极管相比，其泄漏电流更低，改进了高温应用中的系统可靠性。

主要功能：

FDD1600N10ALZD:

●R_DS(ON) = 124 mΩ（典型值）@ V_GS = 10 V，ID = 3.4 A

●R_DS(ON) = 175 mΩ（典型值）@ V_GS = 5 V，ID = 2.1 A

●低栅极电荷 = 2.78 nC（典型值）

●低反向电容 (C_rss) = 2.04 pF（典型值）

FDD850N10LD:

●R_DS(ON) = 61 mΩ（典型值）@ V_GS = 10 V，ID = 12 A

●R_DS(ON) = 64 mΩ（典型值）@ V_GS = 5.0 V，ID = 12 A

●低栅极电荷 = 22.2 nC（典型值）

●低反向电容 (C_rss) = 42 pF（典型值）

二者都有：

●快速开关

●100%经过雪崩测试

●可提高dv/dt处理能力

●符合 RoHS 标准

报价:（订购 1,000 个）

FDD1600N10ALZD的价格为0.49美元。

FDD850N10LD的价格为0.57美元

可供货期: 按请求提供样品。

交货期: 收到订单后 8-12 周内