Xilinx携手TSMC采用16FinFET工艺打造高性能FPGA器件

台积电将与美商赛灵思(Xilinx)合作采用16nm FinFET制程技术，连手打造具备速度及效能优势的FPGA组件，此名为赛灵思“FinFast”计划测试芯片今年推出，首款产品预计明年问市。

台积电与美商赛灵思公司日前共同宣布联手推动一项赛灵思称之为“FinFast”的项目计划，采用台积公司先进的16nm FinFET（16FinFET）制程技术打造具备最快上市速度及最高效能优势的可编程逻辑门阵列（FPGA）组件，双方投入所需资源组成一支专属团队，针对FinFET制程与赛灵思的UltraScaleTM架构共同进行优化。

此外，两家公司亦共同合作借助台积公司的CoWoS三维集成电路（3D IC）制造流程以实现最高层级的3D IC系统整合及系统级效能，双方在此领域合作的相关产品将择期另行宣布。

台积电董事长暨执行长张忠谋表示，台积公司与赛灵思携手合作致力将业界最高效能及最高整合度的可编程组件迅速导入市场，双方将合力于2013年及2014年先后推出采用台积公司20SoC技术与16FinFET技术生产的世界级产品。

　台积公司最近宣布将16FinFET制程技术的生产时程提前到2013年；赛灵思与台积公司合作将高端FPGA的各项需求导入FinFET，双方将进一步针对台积公司的制程技术、赛灵思的UltraScale架构与新世代开发工具共同进行优化以获取最佳成果。UltraScale为赛灵思全新的ASIC等级架构，能针对从20nm平面式制程到16nm以及更先进的FinFET制程进行微缩，亦可透过3D IC技术进行系统单芯片的微缩。