2012年度国际电子元件大会(IEDM)于日前在旧金山登场，与会专家表示，半导体制程迈向14纳米节点时，可能无法达到通常每跨一个世代、芯片性能可提升30%的水准，甚至只有一半；但仍会增加大量成本，主要是因为新制程节点缺乏所需的有效微影技术。
欧洲研究机构IMEC执行长Luc van den Hove在IEDM发表专题演说后对《电子工程专辑》美国版编辑表示，芯片制造商目前已经进入28纳米制程节点，距离14纳米节点虽还有两个世代，但现在必须决定微影技术选项；不过具潜力的超紫外光(EUV)微影工具，可能要到2014年才能做有限度的商业用途。
van den Hove在专题演说中指出，14纳米制程若采用现有的193纳米浸润式微影设备，所需成本将比28纳米制程多90%以上；EUV技术则能将成本增加幅度减至60 %左右。成本增加主要是因为若在14纳米节点采用现有微影系统，最多得要三次曝光；但采用EUV技术，只需要一次曝光。
14纳米制程与28纳米、20纳米的成本比较
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IMEC 微影技术专家Kurt Ronse表示：“三重图形(patterning)实在是太复杂，因此得放宽设计规则，但如此一来芯片就达不到良率。”因此他指出，14纳米芯片的性能可能只会比上一世代提升15~20%，而不是传统每跨一个世代提高30%的水准。
“看来在14纳米制程节点，有部分设计规则必须做某种程度的放宽；”van den Hove在专题演说中表示：“我认为此时此刻得决定14纳米节点微影技术选择是最基本的，但EUV显然还无法响应该制程节点挑战。”
“要解决(EUV)问题还得花费很大工夫；”van den Hove补充指出：“不过我们相信问题并不在于其理论基础，而是需要时间来处理的工程性问题。”
今年稍早，一位英特尔(Intel)高层表示，该公司认为能以经济的方法运用四重图形(quad patterning)，在不需EUV技术的情况下前进至10纳米制程节点。而英特尔的芯片制造成本向来被认为比其他厂商来得高，不过该公司的处理器芯片售价也相对较高。
包括英特尔、三星(Samsung)与台积电(TSMC)在今年分别对半导体设备业者ASML注资数十亿美元，因为ASML是最有力的EUV系统供应商；ASML在今年还收购了一家微影设备光源供应商Cymer，后者可提供EUV所需的更有效光源。
Ronse指出，使用目前的光源设备，EUV系统的制图速度一小时不到20片晶圆；而芯片供应商需要的微影系统，是能达到每小时100片以上晶圆的制图速度。IMEC到目前为止已经协助半导体业者进行过数千片的EUV晶圆测试。
IMEC的EUV系统产出量测试结果
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而IMEC的研究人员也表示，芯片制造商若要延续摩尔定律(Moore's Law)的生命，可能得采用新的材料或是元件型态。
新材料是延续摩尔定律的关键
翻译：Judith Cheng
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