新开发的STT-MRAM技术只需传统STT-MRAM耗电量的1/10即可维持高速运作，且改善了内存漏电的问题，未来可能替代SRAM，使智能手机、平板等设备更省电。
东芝日前发表智能手机与平板移动处理器(Mobile Processor)专用的非挥发性磁电阻式随机存取内存(STT-MRAM)最新研发成果，耗电量只有现在使用SRAM内存的处理器1/3。
新型STT-MRAM与传统型“运作速度/耗电量”呈正比的特征相反，只需传统型STT-MRAM耗电量的10％即可运作，而且仍可保持高速运作，这全都归功于研发团队改良垂直磁化方式的STT-MRAM内存结构，将内存装置缩小至30nm以下才能办到。
此外，由于针对回路设计了可抑制内存漏电流(Leakage Current)的结构，因此不论处于运作状态或待机状态都不会产生漏电流，实现了常闭状态(Normally-Off)的回路结构，使设备更省电。
东芝表示这次研发揭示了以STT-MRAM代替SRAM的可能性，同时兼具更加省电的特性，今后将继续改良此技术促其尽早商用化。本技术近日在美国旧金山举行的国际电子组件会议（IEDM）发表3篇相关技术论文。
东芝STT-MRAM结构，垂直的磁化和30纳米内存大小。
