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东芝为移动设备打造微CMOS工艺LDO稳压器

2012-12-11 阅读:
东芝将推出采用新开发的微CMOS工艺打造的200mA输出单LDO稳压器。该款产品的特点包括低噪音输出、高纹波抑制率、高速负载绝佳响应和低压差。

东芝公司(Toshiba Corporation)将推出采用新开发的微CMOS工艺打造的200mA输出单LDO稳压器。该款产品的特点包括低噪音输出、高纹波抑制率、高速负载绝佳响应和低压差。

新款LDO稳压器的噪音输出很低,为18μVrms(2.5V输出),并且高频(2.5V输出,f = 10kHz)条件下的纹波抑制率极佳,为62dB。另外,该款产品在高速负载的情况下,可实现ΔVOUT= ±65mV (IOUT= 1mA→←150mA, COUT = 100mA)。

该产品采用0.79mm × 0.79mm × 0.5mm的超紧凑WCSP4封装,以确保适合移动设备等需要高密度封装的应用。

该产品现已推出样品,并计划于明年1月份开始量产。

应用

手机,平板电脑,便携式音频播放器,数码相机,数码摄像机和其他小型移动设备

主要特点

1. 低噪音输出

3.0V输出时,VNO = 20μVrms(标准值),IOUT = 10mA, 10 Hz < f < 100kHz

2.5V输出时,VNO = 18μVrms(标准值),IOUT = 10mA, 10 Hz < f < 100kHz

1.2V输出时,VNO = 14μVrms(标准值),IOUT = 10mA, 10 Hz < f < 100kHz

2. 高纹波抑制率

2.5V输出时,RR = 75dB(标准值),IOUT = 10mA, f = 1kHz

2.5V输出时,RR = 62dB(标准值),IOUT = 10mA, f = 10kHz

2.5V输出时,RR = 50dB(标准值),IOUT = 10mA, f = 100kHz

3. 高速负载瞬态响应

IOUT = 1时,ΔVOUT= ±65mV(标准值)→←150mA, COUT=1.0μF

4. 低压差

2.5V输出时,VIN-VOUT= 80mV(标准值),IOUT = 100mA

5. 电压钳型输出电压可根据50mV的增量,设定为1.2V - 3.6V。

6. 输出电压精度:±1.0%

7. 内置型过流保护电路

8. 内置型过温保护电路

9. 采用超紧凑封装,以减少所需空间。

系列


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