飞兆PowerTrench MOSFET新增成员FDB9403

汽车动力转向系统的设计工程师需要能够提供更高效率和更佳功率控制的解决方案。 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)的40V N沟道PowerTrench MOSFET可帮助设计人员应对这些挑战。

FDB9403利用飞兆半导体的屏蔽栅极技术，改进了电阻并降低了电容。 该器件的R_DS(ON)比其最直接竞争对手低20%，并具有较低的Q_g值，可降低功耗并最终提高总体效率。FDB9403 MOSFET作为用于电流控制的基本开关，可有效控制电能而不将其浪费，因此非常适合电动助力转向、悬架控制和传动系管理等应用。

特色及优势：

●R_DS(ON)典型值 = 1mΩ（V_GS = 10V，ID = 80A时），可降低功耗以实现更高的效率

●Q_g(tot)典型值= 164nC（V_GS = 10V，ID = 80A时），可降低功耗以实现更高的效率

●UIS能力

●符合RoHS标准且通过AEC Q101认证

封装和定价信息（1000片起订，价格单位：美元）

按请求提供样品。交货期：收到订单后8-12周内

●采用D2PAK TO-263AB封装，FDB9403的定价为2.48美元