IDT全新RF混频器F1102改进系统三阶互调失真

拥有模拟和数字领域的优势技术、提供领先的混合信号半导体解决方案的供应商IDT公司 (Integrated Device Technology, Inc.) 宣布，已新推出低频段RF混频器，该混频器可通过在拥挤频谱中为4G LTE、3G和2G系统减少互调失真增强用户的移动连接体验。IDT新的Zero-Distortion基站收发信机（BTS）多样混频器可通过减少功耗改进系统三阶互调失真（IM3），针对移动通信（EGSM）频率范围涵盖450 MHz、长期演进（LTE）和扩展的全球系统。

IDT F1102是一款低功耗、低失真的双通道400-1000 MHz RF变频到IF混频器，与标准混频器相比，可改进IM3超过15 dB，同时减少功耗超过40%。这些性能品质可为改进服务品质（QoS）实现更好的信噪比（SNR），同时减少散热，从而在密集的射频卡密封中降低散热要求（5V时1.15W，高达+43 dBm IP3O）。F1102可提供无与伦比的性能与效率，是多载波、多模式4G LTE和EGSM BTS系统的理想选择。

IDT公司副总裁兼通信部总经理Tom Sparkman表示：“在发现我们高频段和低频段混频器优异的性能之后，客户开始需要这款产品。我们的零失真技术可帮助客户增加射频卡的前端增益以改进SNR，同时在拥挤的EGSM和U.S. 蜂窝频段中减少失真。凭借我们广泛的高性能、低功耗可变增益放大器（VGA）产品组合，业界领先的计时、串行交换、数据转换和数据压缩产品，IDT成为通信信号链解决方案的一站式提供商。”

F1102与IDT其他混频器产品系列一起，可在上电与下电模式下提供快速的建立时间和恒定的本机振荡器（LO）输入阻抗。这允许客户在时分双工（TDD）接收机插槽间关闭混频器，从而进一步降低功耗。此外，IDTF1102可支持高本振或低本振注入方式，与市场上现有器件管脚相容，从而提供令人信服的升级选择。

IDT F1102目前正向合格客户提供样品，提供6x6毫米36引脚QFN封装。