罗姆第二代SiC-SBD,实现业界最小的低VF

日本知名半导体制造商罗姆株式会社面向太阳能发电功率调节器、工业设备、服务器和空调等的电源电路，开发出实现业界最小正向电压（V_F＝1.35V）的第二代SiC（Silicon Carbide：碳化硅）肖特基势垒二极管“SCS210AG/AM”(600V/10A)。

与传统产品相比，正向电压降低了10%，非常有助于各种设备实现更低功耗。生产基地在ROHM Apollo Co., Ltd.（日本福冈县），从6月份开始出售样品 (样品价格500日元/个)并陆续量产。

近年来，在工业设备、太阳能电池、电动车以及铁路等电力电子技术领域，与Si元件相比，电力转换时损耗少、材料性能卓越的SiC元件/模块的实际应用备受期待。罗姆于2010年成功实现了SiC-SBD和SiC-MOSFET两种SiC元件的量产，于2012年3月在世界上率先成功将“全SiC”功率模块投入量产等等，产品开发在行业中遥遥领先。

如今，SiC-SBD已经逐渐在世界范围内广泛量产，但形成通态损耗的正向电压长期维持在1.5V的状态，市场上为了追求更低损耗，要求降低正向电压。

通常，正向电压降低反向漏电流就会增加，罗姆通过改善工艺和元件构造，在确保极低漏电流的基础上成功降低了正向电压。特别是正向上升电压较低，有望改善一般使用频率较高的低负载状态下的效率。

新系列首先从600V-10A的产品开始量产，今后将逐步扩大产品阵容。计划在数月内开始1200V产品的量产。

本产品将在6月19~21日在上海世博展览馆举行的电力电子、智能运动、可再生能源与能源管理等最新技术的专业展会“PCIM-ASIA 2012”上展出，欢迎届时莅临参观。

＜特点＞

高速开关，低V_F，与传统的Si产品相比，损耗显著降低

不仅实现了只有SiC才能实现的高速开关，而且正向电压更低，与传统的Si材质快速恢复二极管相比，损耗显著降低。

＜规格＞