台积电：28nm只是产能问题，20nm只提供单一工艺
时间：2012-04-23
分享
扫码分享到好友
代工巨头台积电董事长兼首席执行官张忠谋日前承认，公司在28纳米节点确实遭遇了一些问题，但是是产能而非良率问题。他在台积电年度技术研讨会上表示，台积电28纳米工艺的产量从一开始就在公司的预测范围内。
“是的，我们确实在28纳米节点上有一些困难，但主要困难是没有足够的产能，而不是良率，”张忠谋说。
他承认，台积电一直陷于28纳米节点工艺良率问题的传言中。今年一月，Future Horizons公司的技术分析师Mike Bryant说台积电28纳米工艺出现了问题，工艺良率不是很好。上个月，未经证实的传言说台积电在二月份关闭了28纳米产线。当时，台积电拒绝对此发表评论，同时也表示‘28纳米工艺’一切正常。
 |
张忠谋表示，公司对28纳米产线的产能扩张投资缓解了产能危机。他指出，台积电2012年计划投入超过70亿美元的资本支出，这一支出在2011年是约70亿，2012年50亿，2009年20亿。
“随着新产能即将上线，我相信最坏的时代已经过去了，”张表示。
台湾IT媒体Digitimes在近日的报道中说，由于担心台积电紧张的28纳米产能，台积电的两个忠实客户美国高通公司和Nvidia公司正在接洽其他代工厂。截至本篇文章发稿时，证实联电已确定拿下高通订单。
编译：Aileen Zhu
{pagination}
20nm节点将只提供单一工艺
另外台积电还表示，将在20nm节点提供单一工艺，这与该公司过去针对不同工艺节点均提供多种工艺服务的策略稍有不同。
在台积电年度技术研讨会上，该公司执行副总裁暨共同运营长蒋尚义表示，若光刻技术无法让14nm工艺达到合理的成本效益，那么台积电可能会在20nm工艺之后再提供18nm或16nm工艺节点。
蒋尚义表示，台积电最初计划提供两种20nm工艺，分别为高性能工艺与低功耗工艺。这两种工艺都采用high-k金属栅极(HKMG)技术。
然而，在历经一段时间的发展后，蒋尚义表示，台积电认为这两种20nm工艺之间并没有明显的性能差距。由于20nm的线宽非常小，已经接近基本的物理极限了，因此也没有太大空间针对不同的栅极长度或其他需求来调整设计规则。
台积电目前提供四种28nm工艺，分别为：高性能；低功耗；针对移动应用的HKMG低功耗工艺，以及HKMG高性能工艺。
台积电预计明年量产20nm HKMG工艺。2015年，台积电希望能量产采用FinFET 3D晶体管的14nm工艺。
然而，整个半导体产业都在等待超紫外光(EUV)光刻技术。EUV技术一再延宕，迄今仍未能发展出大量生产所需的足够光源和稳定性。光刻设备供应商ASML Holding NV公司正与数家光源供应商合作开发，并承诺在2013至2014年将可提供商用化所需的足够的吞吐量。
然而，不少业界人士对于EUV技术能否支持台积电和其他领先芯片制造商的技术发展蓝图抱持怀疑态度。蒋尚义指出，193nm浸入式光刻领域已经展现出长足进展，它甚至可能在14nm节点作为商用化的替代技术。然而，蒋尚义也表示，为了提供足够锐利的影像，193nm浸入式光刻针对某些层会需要三重曝光，而针对大多数的层都会需要双重曝光，这会让量产成本急遽升高。
蒋尚义表示，台积电“正在慎重考虑”是否提供18nm或16nm工艺。“一旦我们选择这个节点，我们就必须为客户提供至少10年的服务。”
《电子工程专辑》网站版权所有，谢绝转载
