美科学家质疑当前忆阻器理论

来自美国维吉尼亚阿灵顿的Blaise Mouttet，稍早前在arXiv.org上发表了一篇论文，标题为“Memresistors and non-memristive zero- crossing hysteresis curves”，该文旨在证明在所谓的两端点存储元件以及产生过零磁滞曲线的忆阻器定义以外，还有着多种动态系统。

这篇文章一开始便直言：“电路理论家蔡少棠(Leon Chua)针对忆阻器的过零紧磁滞曲线定义是错误的”。

Blaise Mouttet反驳了将忆阻器视为继电阻、电容和感之后第四种基础电路元件的说法，他认为这种解释并不正确，而惠普(HP)实验室中正在开发的存储器元件实际上并不是一种忆阻器，反而更像是更广泛的可变电阻系统的一部份。

忆阻器理论最初是由柏克莱大学教授蔡少棠(Leon Chua)于1971年提出(The missing circuit element" IEEE Trans. Circuit Theory CT-18, 507-519 (1971))，试图定义一个基础的非线性电路元件，这种电路元件的存在及其行为都可由电磁理论所涵盖。惠普则自2008年起，以忆阻器之名来开发金属氧化物电阻式RAM技术。

Mouttet也曾在2010年的国际电路与系统研讨会(International Symposium on Circuits and Systems, ISCAS)中提出论文，反驳惠普实验室的存储器元件并非忆阻器，并声称真正拥有二氧化钛电阻存储器基础美国专利(US Patent 7,417,271)的企业是三星，而非惠普。

在arXiv上发表论文后，Mouttet也和许多研究人员透过电子邮件讨论非挥发性存储器元件的实体特性。

部份电子邮件的论点赞成Mouttet的主张，即试图将电流流过元件时电阻可被改变的任何两端点元件定义为忆阻器，对于理解有着众多不同类型元件的复杂领域并无助益。

这些不同的元件包括：电阻式RAM(RRAM或ReRAM)、相变存储器(PCM)或相变RAM(PCRAM)、导电桥接RAM(CBRAM)、铁电RAM(FRAM)，以及采用有机材料的铁电极化存储器。

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