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IR新推感应加热用1200 V IGBT

2011-09-29 阅读:
IR近日推出一对高效、可靠的超高速沟道绝缘栅双极晶体管,该产品为焊接、高功率整流等感应加热和共振开关应用进行了优化。

全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)近日推出一对高效、可靠的超高速沟道绝缘栅双极晶体管 (IGBTs) ,该产品为焊接、高功率整流等感应加热和共振开关应用进行了优化。

全新1200 V IGBT器件采用IR成熟的纤薄晶圆场沟道技术,提供关键的性能优势,包括可降低功耗和提升功率密度的低VCE(on)及超高速开关。此外,新器件还具有 1300 V重复峰值额定值,以增强系统可靠性。这些IGBT与低正向电压高峰值电流软正向恢复二极管一起封装,从而优化共振零电流开启操作。

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“IR新型1200 V IGBT的可靠性极高,而且能够提升功率密度及效率,是感应加热和共振应用的理想之选。”

IR新推感应加热用1200 V IGBT(电子工程专辑)
为焊接、高功率整流等感应加热和共振开关应用的1200 V IGBT

全新IGBT使IR的IGBT系列在电机驱动和硬开关应用的表现上更加完善。IR对功率应用的专注,使该公司能够充分优化器件,以满足不同功率系统的技术需求。

产品现正接受批量订单。

产品规格


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