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Diodes超小型MOSFET运行温度低于大型封装器件

2011-05-30 阅读:
ST推出9款全新汽车级功率MOSFET,进一步扩大STripFET VI DeepGATE功率MOSFET产品组合,为新一代汽车实现能效、尺寸及成本优势。

Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封装的高性能MOSFET产品线。该封装仅占用0.6平方毫米的PCB面积,较同类SOT723封装器件节省一半以上的占板空间,其结点至环境热阻 (ROJA) 为256℃/W,在连续条件下功耗高达1.3W,而同类产品的功耗则多出一倍。

因此,该MOSFET的运行温度更低,并可节省空间,加上离板高度仅为0.4毫米,尤其适用于超薄便携式消费电子产品,包括平板电脑及智能手机。Diodes率先提供额定电压为20V、30V及60V的N沟道和P沟道器件,这些器件可用于多种高可靠性的负载开关 (load switching)、信号转换(signal switching)及升压转换(boost conversion) 应用。


例如,额定电压为20V的DMN2300UFB4 N沟道MOSFET的导通电阻仅为150mΩ,比同类解决方案低一半以上,有助于大幅减少传导损耗和功耗。而P沟道、20V的DMN2300UFB4可提供类似的同类领先性能。这两款MOSFET同时具备较高的静电放电额定值(ESD Rating),分别为2kV和3kV。

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