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IIC-China 2009成都站研讨会:顶尖厂商的技术较量

2009-10-13 阅读:
在短短两天的IIC2009展会中,研讨会吸引了包括学生、工程师、管理人员等等不同身份的人士前来。吸引他们的不仅有精彩的话题,还有和业内专家和同行近距离深入交流的机会。

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在短短两天的IIC2009展会中,研讨会吸引了包括学生、工程师、管理人员等等不同身份的人士前来。吸引他们的不仅有精彩的话题,还有和业内专家和同行近距离深入交流的机会。

存储技术的较量:Spansion和恒忆

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在数字消费电子主题部分,Spansion介绍了嵌入式闪存的广泛应用和未来趋势。

经济危机席卷全球之际,去年第三季度NOR闪存经历了34%的下降,受市场所累,Spansion也陷入破产保护。随着经济的逐渐好转,加上Spansion在重组、削减开支方面做出了积极的工作,目前,Spansion已逐渐恢复,并更加专注与产品开发。Spansion的NOR flash产品线非常丰富,在3V到5V的范围内,针对不同应用有GL、AL、JL、CL、PL、FL、F系列的产品,1.8V到2.5V内则由SL/AS、WS、VS、NS、XS和CD系列。

对于未来flash存储的技术前景,Spansion亚太区市场部经理黄强先生表示,SPI(串行)闪存技术将会大有作为。SPI闪存在降低成本、减少PCB层数、缩小PCB面积等方面有很大优势,预计2011年,SPI Nor闪存将突破百万美元规模,2013年,40%的NOR闪存都将采用SPI技术。而Spansion的MirrorBit NOR闪存届时则将引领趋势。

脱胎于英特尔和意法半导体的恒忆也是存储领域地重要玩家。本次研讨会上,恒忆主要介绍了基于手机等无线应用的存储解决方案。针对入门级手机,一般需要32M+8P到128M+32P的存储容量,对此恒忆能提供65nm工艺的M36W和M36L系列产品。而中端的主流手机则可以采用M36L系列和性能最高的M系列产品。高端手机需要256M+64P到2GN+1GD的容量,恒忆的M系列解决方案仍能满足需求,并对特定的平台提供eMMC支持。

恒忆对未来技术的部署也非常值得期待,那就是PCM(Phase change memory)技术。PCM读写速度非常快,且耗电量却低于传统的NOR和NAND闪存。目前,恒忆正致力于此技术的研发,以期待未来能够抢险引领市场潮流。

走向4G:ADI分享LTE时代的设计细节

3.5G LET是从3G到4G演进的一个阶段,随着HSPA在效率和容量上很快将达到饱和,LTE让运营商能利用现有无线基础设施提供更好的服务。而移动互联网的发展又将数据率推升到100Mbps的速度,LTE通过OFDMA调制提升了频谱利用率,但同时对相噪和抖动提出了更高的要求。

ADI的DAC/ADC产品以及RF/IF接收机方案为用户提供了广泛的选择。另外RF放大器、混频器等产品也形成了完善的系列。

另外,微软嵌入式系统最有价值专家黄文中还带来了关于Windows Embedded Standard的介绍。对系统开发工具、开发、发布和测试流程、组建制作、嵌入式特性等等,都做了详尽的讲解和生动的演示。

成都站的研讨会精彩纷呈,内容丰富而前沿,赢得了观众的广泛好评。

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