瑞萨科技、Grandis携手自旋转移技术的65nm MRAM

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瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.)日前与Grandis，Inc.达成协议，将共同开发采用自旋转移写入技术的65 nm工艺磁性随机存取存储器(MRAM)。瑞萨科技将在不久的将来开始供应采用65 nm工艺STT-RAMTM的微型机和SoC产品。

瑞萨科技公司生产和技术部代理执行总经理Tadashi Nishimura表示：“我们目前正在开发采用高速和高可靠性的传统磁场数据写入技术3的MRAM技术。我们计划在微型机和带有片上存储器的SoC器件等产品中使用这种技术。尽管如此,考虑到诸如减少写入的不稳定性和降低电流需求等因素，我们认为，自旋转移是未来采用超精细工艺生产MRAM的适用技术。Grandis拥有优秀的自旋转移技术。我们确信，通过将他们的技术与瑞萨的生产工艺相结合，我们将能够开发出具有高性能和极佳可靠性的通用存储器。”

Grandis公司总裁兼首席执行官William Almon表示：“我们率先将自旋转移技术与MRAM中的存储器单元结构集成在一起。通过充分发挥自旋转移的效率，我们已将它提升到一个新的水平，使之可以与今天的LSI器件集成在一起。我们期待，此次与瑞萨科技的合作将把我们的技术应用于LSI，给Grandis的业务扩展带来重要的机会。”

关于MRAM：

MRAM采用磁铁作为存储器单元。它是一种随机存取存储器，其存储的数据取决于磁铁的磁性方向。MRAM是一种当电源切断后仍可保持数据的非易挥发性存储器，同时具有高速运行和无限重写能力。人们期待，这种由各种类型的存储器所提供的执行功能能力将使MRAM成为下一代存储器的有力竞争者。大多数正在开发的MRAM都是基于传统的磁场数据写入，它可以支持快速的运行速度。然而，在未来更加精细的工艺条件下，MRAM将需要非常大的写入电流。这引起了人们对采用65 nm或更精细工艺的MRAM的自旋转移写入技术的关注。

关于自旋转移写入技术：

自旋转移写入技术：一种对穿过TMR(隧道磁阻)元件的电子旋转方向进行定位的数据写入技术。数据写入采用与电子保持同样旋转方向的旋转极电流完成。自旋转移随机存取存储器(STT-RAMTM)具有比传统的MRAM更低的功耗和更好的可扩展性等优点。自旋转移技术具有使MRAM器件既可降低电流需求，又可减少成本的潜力。

关于传统的磁场数据写入技术：

传统的磁场数据写入技术：一种使电流穿过一根邻近TMR单元导线的技术。数据的写入是由导线产生的磁场来改变磁性方向而实现的。