新兴公司开发出可扩展的GaN工艺，将进军LED照明市场

Inlustra技术公司是从美国加州大学圣巴巴拉分校的氮化镓（GaN）研究实验室分离出来成立的新兴公司，向世界宣布该公司已经开发出一种可扩展的用于非极性和半极性GaN衬底的生产工艺。

该公司目前正在扩张其生产设备，并已经开始接受客户的订单。该公司目前所提供的非极性GaN衬底，其规格为5×10毫米、10×20毫米，不过该公司表示在未来的9到12个月内，可以将其工艺扩展到2英寸。

Inlustra公司的首席技术官Paul Fini在一份声明中表示，“我们专用的晶体生长技术可显著的减少衬底上的缺陷的数量，从而有助于我们的客户在其设备生产工艺上实现产量的提高。”

该公司旨在进军LED和相关市场。GaN材料对于绿色、蓝色、紫色以及紫外线光源产品十分重要。

“更为重要的是，基于GaN的白色LED可用于普通照明，这将成为一种高效、无毒的荧光灯和白炽灯的替代品，所带来的收益可等效于在未来20年内节省50亿桶石油。” 据称，该技术已获美国能源署的扶持。

GaN是LED的关键技术。该公司表示，“GaN具有晶体结构，因此可使其具有在不同方向上异构的性能。这种结构的非极性和半极性引起了实验人员浓厚兴趣，实验人员希望利用这种非极性和半极性来取代传统的极性GaN c- plane,因为后者正面临着一些基础的设备效率限制。与传统GaN技术相比，非极性和半极性GaN可以显著提高设备性能、制造产量以及设备寿命。”