新日本无线发布GaAs MMIC NJG1135MD7，设有旁通电路低噪声放大器

新日本无线开发完成了设有旁通电路低噪声放大器GaAs MMIC NJG1135MD7，并开始发放样品。该产品最适用于带有CMOS RF-IC的800MHz/1900MHz频段CDMA模式手机。

近年来，为了降低手机成本，RF-IC的CMOS化在不断地进步。以往的低噪声放大器内置于RF-IC内，但是CMOS很难构成高性能的低噪声放大器。所以有必要增加外部元件的低噪声放大器。

因此，要通过CMOS工艺来降低成本，外部元件的高线形性的低噪声放大器是必要的。NJG1135MD7就是能满足这种要求的设有旁通电路低噪声放大器。用于800MHz/1900MHz频段的 CDMA模式手机终端。

NJG1135MD7是由低噪声放大电路旁通电路控制用逻辑电路来构成的。使用高性能HJ FET工艺，实现了高线形性(IIP3 +10dBm typ.@ f=880MHz / IIP3 +8dBm typ.@ f=1960MHz)。

另外，为防止离基地局较近地区发生的强磁场输入时所造成的放大器视失真，设置了不经过放大电路的旁通模式(Low gain模式)，并且让内置的低噪声放大电路处于待机状态，从而实现了低耗电流化。

NJG1135MD7采用超小超薄EQFN14-D7(1.6x1.6x0.397mm typ.) 封装，节省了装载电路板的空间的同时，又符合了无铅无卤化物标准，为减轻环境负荷做出了贡献。

具有高线形特性低消耗电流节省空间特点的NJG1135MD7，实现了800MHz/1900MHz频段CDMA用无线电路部RF-IC的CMOS化，并为手机低价格作出了贡献。

NJG1135MD7具有以下特征，最适用于800MHz/1900MHz频段的CDMA模式手机。

1、 具有高线形性，实现了IIP3 +10dBm typ.@ f=880MHz / IIP3 +8dBm typ.@ f=1960MHz (High gain模式时)

2、 High gain mode和Low gain mode可切换。

3、 Low Gain模式时，实现了30μA(typ.)的低消耗电流。

4、 采用小型封装，为节省空间作出了贡献。

5、 内置保护元件，用HBM(Human Body Model)方法，实现了2000V以上的高ESD(Electrostatic Discharge)静电耐压

产品性能及特点概要

●低工作电压 +2.8V typ.

●低切换电压 +1.8V min.

[high gain 模式]

●高输入IP3 +10dBm typ. @ f=880MHz

+8dBm typ. @ f=1960MHz

●高增益 +16dB typ. @ f=880MHz / 1960MHz

●低噪声指数 1.4dB typ. @ f=880MHz / 1960MHz

[low gain 模式]

●低消耗电流 30uA typ.

●高输入IP3 +19dBm typ. @ f=880MHz

+17dBm typ. @ f=1960MHz

●超小超薄封装 EQFN14-D7 ( 1.6x1.6x0.397mm typ,无铅无卤化物)

生产计划／样品价格

新日本无线从2009年1月开始发放NJG1135MD7样品，预计从2009年2月投产后月产30万个。样品价格为100日元。