IDF抒写硅光子学美妙远景，英特尔最新技术突破引人侧目

在秋季英特尔信息技术峰会(IDF)9月18日-20日召开之前，英特尔举行了针对国际媒体的沟通会，重点介绍了有关研发、软件解决方案和英特尔投资的最新消息。

英特尔院士、光子学技术实验室总监Mario Pannicia博士在会上描绘了硅光子学远景，讲述了英特尔取得的最新突破，即一种每秒能够以40Gbps的速度对数据进行编码的硅激光调节器。

据了解，早在04年2月，英特尔就研发出1G硅激光调节器，05年7月研发出10G硅激光调节器，07年4月40G硅激光调节器研发成功。“下一步我们需要做的是，如何将之作用很好地发挥出来，以及与相关设备进行很好结合。”

此外，Pannicia还介绍了英特尔在硅光电探测器领域的最新进展，旨在实现高速度、高灵敏度的光学接收器。

据Mario Pannicia介绍，英特尔在硅光子学领域获得了最新突破：即一种基于硅和锗的光电探测器，这种探测器能够以每秒400亿字节以上的速度探测激光信号。