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美科学家观测到电路大小的磁量子效应

2007-08-07 R. Colin Johnson 阅读:
在美国国家标准与技术研究所(NIST)与ISIS粒子加速器(英国)的研究人员,首次在半导体的蚀刻规模上控制了磁量子效应。

在美国国家标准与技术研究所(NIST)与ISIS粒子加速器(英国)的研究人员,首次在半导体的蚀刻规模上控制了磁量子效应。这个国际团队报告说,把100个钇钡镍氧化物链接起来成为一条量子自旋串,从而有效地把30nm长的磁分子转换为一个单一元件。所观察到的量子效应有可能构成不同寻常的大磁分子,作为未来半导体电路中的开关、存储器或计算单元。

量子机械学已经使微小的原子级现象能够由电子电路控制,从Orion量子计算机和量子级联激光中的量子点,到金属绝缘体电子学的量子肼。然而,在30nm的等级上对磁量子自旋串的观测可能使蚀刻技术更易于控制将来半导体电路中的分子级量子效应。

该实验在美国NIST中子研究中心以及在英国的Rutherford Appleton Laboratory的ISIS粒子加速器上完成。

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R. Colin Johnson
EETimes前瞻技术编辑。R. Colin Johnson自1986年以来一直担任EE Times的技术编辑,负责下一代电子技术。 他是《Cognizers – Neural Networks and Machines that Think》一书的作者,是SlashDot.Org的综合编辑,并且是他还因对先进技术和国际问题的报道,获得了“Kyoto Prize Journalism Fellow”的荣誉。
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