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CEA-Leti/Minatec与AMMS联手,开发用于3D互连应用硅片微通道

2007-08-02 阅读:
考虑到先进的封装技术和芯片堆叠技术在微电子和微系统的演进中所发挥的重要作用,总部位于法国格勒诺布尔市的先进微电子研发机构CEA-Leti/Minatec以及深反应离子刻蚀(DRIE)系统制造商Alcatel Micro Machining Systems(AMMS)已经达成了为期两年的合作协议。

考虑到先进的封装技术和芯片堆叠技术在微电子和微系统的演进中所发挥的重要作用,总部位于法国格勒诺布尔市的先进微电子研发机构CEA-Leti/Minatec以及深反应离子刻蚀(DRIE)系统制造商Alcatel Micro Machining Systems(AMMS)已经达成了为期两年的合作协议。

CEA-Leti/Minatec和AMMS表示,他们赞成合作进行研究工作以开发DRIE系统的工业工艺能力以及用于3D互连应用的低温等离子体增强化学蒸镀(LTPECVD),他们期望在这两年年底前演示一套用于先进电子系统集成的turn-key解决方案。

CEA-Leti/Minatec表达了其拓展能力以便包含通过晶圆的微通道并允许在芯片的两面进行密集互连的计划。CEA-Leti/Minatec与AMMS共同表示,公司将专注于硅片和过孔隔离的深各向异性刻蚀。根据合作开发协议,合作伙伴双方将利用AMMS的用于硅片DRIE和低温氧化物隔离LTPECVD的两种新型200mm机器。

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