散热器通常被认为是解决所有电子冷却挑战的神奇答案。散热器使热量扩散，因此热量通过比其他方式大得多的表面积传递到空气中。然后，空气将热量带走，冷却产生热量的电子设备。那么，为什么不在任何热关键组件的顶部放置一个散热器呢？ 答案将由仿真揭晓。产品设计人员可以利用先进的 3D 热仿真和分析工具（如 Simcenter Flotherm）对产品或其组件进行复杂的建模。通过仿真，设计人员可以深入了解设备内部和周围的空气和热流的复杂相互作用。这些丰富的信息使他们能够就散热器的战略布局和使用做出明智的决策，从而在最需要的地方优化冷却效率。

传统的硅金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管 (MOSFET) 具有成熟的技术和低廉的成本，在中压和绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 高压功率电子器件中占主导地位。使用碳化硅等具有高电离能的新型宽带隙材料，可以制造出具有快速开关时间和超过 1,000 伏击穿电压的经典 MOSFET 器件。此外，它们能够承受高温，确保稳定运行和延长使用寿命。新的材料需要新的测试技术，尤其是在热瞬态测试领域，更需要良好的方法来检查设备完整性、识别设备故障机制以及确定热阻。本白皮书介绍了 Simcenter 如何使用符合新测试标准的新型热瞬态测试和功率循环方法来帮助应对这些挑战。