传英特尔3D NAND相中紫光，挟中国以令日韩

昨天我们报道了，英特尔(Intel)宣布与美光(Micron)将在第三代3D NAND研发完成之后，大约2019年分道扬镳（参考阅读），不过犹他州Lehi工厂将继续保留作3D Xpoint研发制造。今天就有台湾媒体DIGITIMES爆料，业界透露英特尔在3D NAND布局押宝中国市场，不仅扩充中国12吋厂的产能，后续不排除以技术授权等方式，加速携手紫光集团，届时恐颠覆NAND Flash产业。

英特尔在2012年开始陆续降低对合资厂IM Flash Technologies的持股，几乎全部卖给了美光，开始扩张中国市场，将大连厂改装成3D NAND工厂，埋下与美光在3D NAND布局各奔前程的伏笔。观察近些年英特尔在NAND Flash的策略，早已步步疏离美光，双方正式宣告离异，业界并不惊讶。

当然，英特尔不会把这一身技术就此尘封，而是选择了新的伙伴。

DIGITIMES称，紫光集团与英特尔一直有意扩大合作，传出有延伸至存储器产业的迹象，业界推测英特尔与美光“分手”的原因之一，可看作英特尔大连3D NAND厂与紫光集团展开合作所做的前期布局。

至于两家公司分道扬镳的理由，网传是因为在工艺理念上有所不同，具体可以参考《电子工程专辑》的报道《英特尔美光将在第三代3D NAND研发后分道扬镳》。而与紫光的合作不会存在这种分歧，因为3D NAND原始专利技术上，国内公司话语权并不大……

根据市场调查机构 Forward Insights 的调查数据显示，使用 3D NAND Flash 大宗的 SSD 市场，2016 年全球出货量排名，英特尔仅仅占有 3%，三星仍维持龙头位置，金士顿排名第二，其他包括 Sandisk、美光、东芝都排名在英特尔的前面。

据DIGITIMES援引NAND Flash产业人士分析，若英特尔与紫光集团合体进攻3D NAND市场，这将会是三星、东芝(Toshiba)等大厂最怕见到的情况，因为一旦中国势力介入现在六强鼎立的3D NAND市场生态，恐让市场供需更快速失衡，陷入供过于求。站在英特尔角度，若英特尔引入紫光势力，不但可以给三星、东芝等阵营下马威，更可以有条件换取中国更大的市场，这一招联中抗日韩来说是非常不错的战术。

集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)也发表文章认为，美光与英特尔未来在独立开发NAND Flash技术后，也不排除寻求如中国厂商等其他厂商合作的可能性，以增加其市场影响力。

目前清华紫光也宣布将投资了 300 亿美元在南京建设自己的 DRAM 内存及 NAND Flash 闪存工厂。另外也才刚刚和台湾建兴宣布合作，在苏州兴建一座 SSD 固态硬盘开发、制造工厂。因此，未来如果真能与英特尔合作，英特尔所掌握的 NAND Flash 技术将有望让清华紫光的生产更上一层楼。

本文综合自DIGITIMES、Technews报道

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