广告

NRAM终于熬出头,明年商用血洗存储器市场

2017-01-22 16:20:00 Gary Hilson 阅读:
NRAM就像是一种“迟来总比缺席好”的技术;但这也反映出内存产业对于变革的渴望…
广告

“迟来总比缺席好”可能是碳纳米管内存(Nano-Ram;NRAM)的最佳写照。

根据BCC Research发布的最新研究报告指出,NRAM在苦熬多年一直无法量产后,终于准备好在2018年商用化了,预计将席卷现有的DRAM与闪存市场。该市调公司并表示,首款利用这种碳纳米管(CNT)技术的非易失性内存芯片似乎也已经蓄势待发,预计将对计算机内存领域带来不小冲击。

“虽然许多业界专家已经放弃等待CNT内存了,”BCC Research研究总监Kevin Fitzgerald表示,“但我想,大家都必须要以全新的眼光,才能真正看到从硅转变到碳的时刻来临。”

他表示,最近由技术巨擘富士通(Fujitsu)取得商用化制造NRAM的授权协议,迅速让该公司的前景看法改观;同时,就在撰写这份报告的同时,共同签署这份协议的NRAM供应商Nantero又获得了2,100万美元的创投资金,巩固了该公司曾经怀疑NRAM技术的看法。

BCC Research预计,全球NRAM市场将从2018年到2023年实现62.5%的复合年成长率(CAGR),其中嵌入式系统市场预计将在2018年达到470万美元,到了2023年将成长至2.176亿美元,CAGR高达115.3% 。

针对企业储存、企业服务器与消费电子等领域,NRAM技术比闪存更具有颠覆性,更有利于在这领域的产品中实现新一波的创新。很快将会受到影响的应用将包括消费性电子领域、移动运算、物联网(IoT)、企业储存、国防、航天以及车用电子等领域。

Fitzgerald说,多位计算机存储器专家以及对此感兴趣的观察家都看好碳纳米管在非内存领域的应用。“许多应用都是直接相关的,如化学传感器或RFID中继器等,但也有几个应用专用于先进材料,如太阳能电池’燃料电池、电力传输与MEMS等,”他说:“严峻的半导体制造要求似乎导致它在其他应用上的优点。而从商业的角度来看,它也是相当有价值的IP。”

但Fitzgerald强调,NRAM拥有许多有利于其发展的因素,包括更高密度。“它所需的能量更少,因为它不需要像传统记体一样不断地‘刷新’。因此,它可以实现更快的速度,甚至缩到皮秒(ps)级的响应时间。”此外,它还可实现真正“实时”的性能,而且具有极高的耐热性。他补充说:“它真的不应该只浪费在传统意义上。”

Fitzgerald认为,Nantero决定授权这项技术,而非独自发展,可说是推动NRAM向前进展的关键。“这让Fujitsu得以加速使该技术导入制造,”他说。“随着这块市场大饼日益做大,合作伙伴将会更有动机共同分担产品开发的负担。”

从技术的角度来看,纯碳的来源是一项主要的障碍。Fitzgerald说:“只要能解决这个问题,就能让Nantero占据强大的IP位置。Nanatero可以被视为一家材料平台公司,首批产品刚好适用于计算机内存领域。”

Nantero首席执行官Greg Schmergel强调,授权富士通的协议及其最近的资助,都是该公司发展的重要里程碑。他表示,该公司能为合作伙伴带来的最大机会和领域就在于移动和消费性闪存应用,预计可在移动和平板计算机领域催生大量业务。“我们在这些领域都已经有几家客户了。由于这些设备的电池续航力至关重要,使公司的价值主张十分有力。”

Schmergel说,具有DRAM速度的非发性内存意味着可让设备的功耗降低,使用者将会明显感受到速度的提升。“你不会再受到功能权衡的限制了。”

他说,Nantero的几家合作伙伴正在设计NRAM产品,而该公司本身也在进行一些自家的设计,包括兼容DDR4的内存产品。该公司目前已有70位以上的员工了。

BCC Research指出有几家独立内存公司、手机与可穿戴设备公司可能导入NRAM技术,但Fitzgerald说,这些公司至今并未透露任何细节。

相较于其他的内存技术,NRAM的发展路径十分独特。即使MRAM也曾经历很长的时间才实现商用化,但Fitzgerald说,“传统的内存技术并没有像NRAM这样的发展过程。从硅到碳,意味着必须额外负担更多,但目前已有几家公司开始探索CNT内存了,IBM就是其中之一。”
20170120 NRAM NT02P1
Nantero专利的NRAM以碳纳米管为基础

BCC Research共同创办人兼资深编辑Chris Spivey将NRAM的研究与发展路径形容为一种典型“以小搏大”(David vs. Goliath)的故事。但剧情出现的一点转折是Nanero最后(即David)选择与Fujitsu (Goliath的同辈;意指同业)合作,并为其提供援助。同时,Chris Spivey表示,尽管现有的内存业者并未对此发表评论,但也不排除未来取得授权。

正如BCC Research 的研究报告中所指出的,有关NRAM技术的消息已经好几次登上媒体头条了,尽管毁誉参半,但该报告的作者们预计,这项技术的重大进展将直接挑战目前根深蒂固的计算机内存技术。

最后,Fitzgerald总结道,25年来,内存产业一直在等待更好的技术出现。“从某方面来说,NRAM更像是一种『迟到总比缺席好』(better late than never)的技术。但这也反映出产业对于变革的渴望。”

编译:Susan Hong

本文授权编译自EE Times,版权所有,谢绝转载

EETC wechat barcode


关注最前沿的电子设计资讯,请关注“电子工程专辑微信公众号”。

本文为EET电子工程专辑 原创文章,禁止转载。请尊重知识产权,违者本司保留追究责任的权利。
Gary Hilson
EE Times特约编辑。Gary Hilson是一位自由撰稿人和编辑,曾为北美地区的印刷和电子出版物撰写过大量稿件。 他感兴趣的领域包括软件、企业级和网络技术、基础研究和教育市场,以及可持续交通系统和社会新闻。 他的文章发表于Network Computing,InformationWeek,Computing Canada,Computer Dealer News,Toronto Business Times,Strategy Magazine和Ottawa Citizen。
广告
热门推荐
广告
广告
广告
EE直播间
在线研讨会
广告
广告
广告
向右滑动:上一篇 向左滑动:下一篇 我知道了